سایر پوشش های محافظ
جزئیات محصول
معرفی محصول: سایر پوشش های محافظ
زمینه های کاربردی: عمدتا برای حفاظت ضد تداخل تجهیزات مختلف و قطعات الکترونیکی در محیط های مغناطیسی قوی استفاده می شود. به طور گسترده ای در موقعیت های مختلف الکترومغناطیسی و انواع ترانسفورماتورها، سنسورها و غیره استفاده می شود.
مواد هسته: به طور کلی از مواد 1J85 با نفوذپذیری مغناطیسی بالا با نفوذپذیری مغناطیسی بالا ساخته شده است. ضخامت های مختلف موجود: 0.5 میلی متر، 0.8 میلی متر، 1.0 میلی متر، 1.2 میلی متر، 1.5 میلی متر
ساخت نفیس: تولید باز کردن قالب پانچ سیکو و تولید مهر زنی، اندازه دقیق.
درجه بالای سفارشی سازی: برای رفع نیازهای متنوع مشتریان، می توان مشخصات مختلفی را سفارشی کرد.
ویژگی های فرآیند: تولید مهر و موم قالب، ابعاد دقیق، و اثر محافظ مغناطیسی خوب پس از عملیات حرارتی در دمای بالا.
سپرهای دیگر معمولاً از مواد 1J85 با نفوذپذیری مغناطیسی بالا ساخته می شوند که دارای نفوذپذیری مغناطیسی بالا و اجبار بسیار کم است. در میدان های مغناطیسی ضعیف، قابلیت های محافظ و ضد تداخل بسیار خوبی از خود نشان می دهد. این عمدتا برای حفاظت ضد تداخل تجهیزات مختلف و قطعات الکترونیکی در محیط های مغناطیسی قوی استفاده می شود. این به طور گسترده ای در موارد مختلف الکترومغناطیسی و انواع مختلف ترانسفورماتور، سنسور و سایر تجهیزات استفاده می شود.
مواد 1J85 یک آلیاژ با نفوذپذیری مغناطیسی بالا است که معمولاً از نیکل و آهن تشکیل شده است، با نفوذپذیری مغناطیسی بسیار بالا و نیروی اجباری کم. این باعث می شود که در محافظت از میدان های مغناطیسی ضعیف و کاهش تداخل الکترومغناطیسی عالی باشد. سایر پوشش های محافظ نه تنها به گونه ای طراحی شده اند که به طور موثر از میدان های مغناطیسی خارجی محافظت می کنند، بلکه از تداخل میدان های مغناطیسی تولید شده توسط تجهیزات داخلی با دنیای خارج نیز جلوگیری می کنند.
این سپرها با مهر زنی قالب تولید می شوند که ابعاد دقیق و کیفیت ثابت را تضمین می کنند. پس از عملیات حرارتی در دمای بالا، اثر محافظ مغناطیسی پوشش محافظ بیشتر بهبود یافته است. این فرآیند تولید نه تنها استحکام مکانیکی سپر را بهبود می بخشد، بلکه پایداری و دوام آن را در محیط های پیچیده الکترومغناطیسی افزایش می دهد.
در کاربردهای عملی، سپرهای دیگر را می توان برای محافظت از قطعات الکترونیکی حساس مانند سنسورهای دقیق، پردازنده های سیگنال و تجهیزات ارتباطی استفاده کرد تا اطمینان حاصل شود که آنها می توانند به طور معمول در محیط های مغناطیسی قوی عمل کنند. علاوه بر این، آنها همچنین می توانند در تجهیزات قدرت مانند ترانسفورماتورها و سلف ها برای کاهش نشت میدان مغناطیسی و بهبود کارایی و ایمنی تجهیزات استفاده شوند.
مشخصات
| علامت تجاری | سطح | ضخامت نوار میلی متر | در نفوذپذیری میدان مغناطیسی 0.08 uo GS/Oe | حداکثر نفوذپذیری مغناطیسی um Gs/Oe | اجبار HC | سختی مغناطیسی اشباع BS GS |
| نه کمتر از | نه بیشتر از | نه کمتر از | ||||
| 1J79B | YB/T5251-2013 | 0.05 | 20000 | 150000 | 0.03 | 7500 |
| 0.1 | 22000 | 200000 | 0.02 | |||
| 0.2 | 24000 | 220000 | 0.015 | |||
| 1J85B | YB/T5251-2013 | 0.05 | 45000 | 150000 | 0.02 | 6500 |
| 0.1 | 55000 | 180000 | 0.015 | |||
| 0.2 | 65000 | 220000 | 0.01 | |||
| 0.3 | 65000 | 250000 | 0.009 | |||
نکته: خواص مغناطیسی YB/T5251-2013 در جدول فوق در حالت DC اندازه گیری شده است.