כיסויי מיגון אחרים
פירוט המוצר
מבוא מוצר: כיסויי מיגון אחרים
תחומי יישום: משמש בעיקר להגנה נגד הפרעות של ציוד ורכיבים אלקטרוניים שונים בסביבות מגנטיות חזקות. הוא נמצא בשימוש נרחב במצבים אלקטרומגנטיים שונים וסוגים שונים של שנאים, חיישנים וכו'.
חומר ליבה: עשוי בדרך כלל מחומר חדירות מגנטית גבוהה 1J85 עם חדירות מגנטית גבוהה. עוביים שונים זמינים: 0.5 מ"מ, 0.8 מ"מ, 1.0 מ"מ, 1.2 מ"מ, 1.5 מ"מ
אומנות מעולה: ייצור פתיחת תבנית ניקוב Seiko והטבעה, גודל מדויק.
רמה גבוהה של התאמה אישית: כדי לענות על הצרכים המגוונים של הלקוחות, ניתן להתאים מפרטים שונים.
מאפייני תהליך: ייצור הטבעת עובש, מידות מדויקות ואפקט מיגון מגנטי טוב לאחר טיפול בחום בטמפרטורה גבוהה.
מגנים אחרים עשויים בדרך כלל מחומר חדירות מגנטית גבוהה 1J85, בעל חדירות מגנטית גבוהה וכפיות נמוכה במיוחד. בשדות מגנטיים חלשים, הוא מציג יכולות מיגון ומניעת הפרעות מצוינות. הוא משמש בעיקר להגנה נגד הפרעות של ציוד ורכיבים אלקטרוניים שונים בסביבות מגנטיות חזקות. הוא נמצא בשימוש נרחב באירועים אלקטרומגנטיים שונים וסוגים שונים של שנאים, חיישנים וציוד אחר.
חומר 1J85 הוא סגסוגת חדירות מגנטית גבוהה, מורכבת בדרך כלל מניקל וברזל, עם חדירות מגנטית גבוהה במיוחד וכוח כפייה נמוך. זה הופך אותו למצוין בהגנה על שדות מגנטיים חלשים ובהפחתת הפרעות אלקטרומגנטיות. כיסויי מיגון אחרים נועדו לא רק להגן ביעילות על שדות מגנטיים חיצוניים, אלא גם למנוע משדות מגנטיים שנוצרים על ידי ציוד פנימי להפריע לעולם החיצון.
מגנים אלה מיוצרים על ידי הטבעת קוביות, מה שמבטיח מידות מדויקות ואיכות עקבית. לאחר טיפול בחום בטמפרטורה גבוהה, אפקט המיגון המגנטי של כיסוי המיגון שופר עוד יותר. תהליך ייצור זה לא רק משפר את החוזק המכני של המגן, אלא גם משפר את היציבות והעמידות שלו בסביבות אלקטרומגנטיות מורכבות.
ביישומים מעשיים, ניתן להשתמש במגנים אחרים כדי להגן על רכיבים אלקטרוניים רגישים, כגון חיישני דיוק, מעבדי אותות וציוד תקשורת, כדי להבטיח שהם יכולים לפעול כרגיל בסביבות מגנטיות חזקות. בנוסף, ניתן להשתמש בהם גם בציוד חשמל כגון שנאים ומשרנים כדי להפחית את דליפת השדה המגנטי ולשפר את יעילות ובטיחות הציוד.
מִפרָט
| סִימָן מִסחָרִי | רָמָה | עובי רצועהmm | ב-0.08 חדירות שדה מגנטי uo GS/Oe | חדירות מגנטית מקסימלית um Gs/Oe | כפייה HC | קשיות מגנטית רוויה BS GS |
| לא פחות מ | לא גדול מ | לא פחות מ | ||||
| 1J79B | YB/T5251-2013 | 0.05 | 20000 | 150000 | 0.03 | 7500 |
| 0.1 | 22000 | 200000 | 0.02 | |||
| 0.2 | 24000 | 220000 | 0.015 | |||
| 1J85B | YB/T5251-2013 | 0.05 | 45,000 | 150000 | 0.02 | 6500 |
| 0.1 | 55,000 | 180000 | 0.015 | |||
| 0.2 | 65,000 | 220000 | 0.01 | |||
| 0.3 | 65,000 | 250000 | 0.009 | |||
הערה: המאפיינים המגנטיים של YB/T5251-2013 בטבלה לעיל נמדדות במצב DC.